簡要介紹 InP單晶材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測器等的關(guān)鍵材料。

InP單晶基片

InP單晶材料作為最重要的化合物半導(dǎo)體材料之一,是生產(chǎn)光通訊中InP基激光二極管（LD），發(fā)光二極管（LED）和光探測器等的關(guān)鍵材料，這些器件實現(xiàn)了光纖通信中信息的發(fā)射、傳播、放大、接受等功能。InP也非常適用于高頻器件，如高電子遷移率晶體管（HEMT）和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）等方面由于其本身具有的優(yōu)越特性,使其在光纖通信、微波、毫米波、抗輻射太陽能電池、異質(zhì)結(jié)晶體管等許多高技術(shù)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用. InP單晶材料的主要生長方法，包括傳統(tǒng)液封直拉技術(shù)（LEC）、改進的LEC技術(shù)、氣壓控制直拉技術(shù)（VCZ/PC－LEC）/垂直梯度凝固技術(shù)（VGF）/垂直布里奇曼技術(shù)（VB）等。

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